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森 道康; 挽野 真一*; 小椎八重 航*; 前川 禎通
no journal, ,
Nano-scale magnetic materials for spintronics devices are extensively studied due to many advantages such as enhanced operationspeed, low power consumption, and high integration of memory cell. Non-volatile memory using a magnetic domain wall (DW) is one example of such devices, and many studies are devoted to control DW. Among those studies, the oscillatory DW is experimentally observed and is examined toward applications, e.g. high sensitive magnetic sensor, nano-scale telecommunication, rf-assisted writing of magnetic bit, and microwave generator. Once such devices are realized in a microscopic circuit, one needs to measure the DW frequency more precisely. We theoretically propose a principle for precise measurement of oscillatory domain wall (DW) by a ferromagnetic Josephson junction,which is composed of a ferromagnetic wire with DW and two superconducting electrodes. The current-voltage curve exhibits stepwisestructures, only when DW oscillates in the ferromagnetic wire. The voltage step appears at V=n(h/2e)f with the fundamental constant h/e,integer number n, and the DW frequency f. Since V can be determined in the order of 10
accuracy, the oscillatory DW will be measured more precisely than present status by conventional method.
永井 佑紀; 中村 博樹; 町田 昌彦
no journal, ,
トポロジカル絶縁体と呼ばれる材料の結晶端のみで電流を運ぶ熱電変換効率の高いと予想される物質群が、原子力分野をはじめとして、さまざまな産業への応用も期待され盛んに研究されている。その一方、トポロジカル絶縁体Bi
Se
にCuを導入して作製された超伝導体CuxBiSeは、結晶端のみで電流を流すという特異な物性を持ち超伝導となるため、新しいデバイスとして期待されており、その物性の詳細を明らかにすることが求められている。本発表では、このトポロジカル超伝導体CuxBiSeの磁場下での振る舞いについて研究した成果を発表する。具体的には、磁場下の界面での電子状態をスーパーコンピュータBX900を用いた大規模並列直交多項式展開法によって求め、磁場中の磁束が磁化されることと界面近傍ではその磁化が反転することを示す。また、このような磁化フリップは、磁束によるスピン制御の可能性を示唆している。
芳賀 芳範
no journal, ,
Heavy fermion superconductors in actinide compounds are extensively studied because of their unusual properties. A large spatial extent of 5f electron wave function and magnetic / multipole degree of freedom are considered to the origin of exotic characteristics in the normal state. We will review recent progresses in high-quality single crystal growth and characterization in these compounds.
石角 元志*; 樹神 克明; 梶本 亮一*; 中村 充孝; 稲村 泰弘; 脇本 秀一; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 新井 正敏; 社本 真一; et al.
no journal, ,
鉄系超伝導体の中で比較的
の低いLaFePO(
5K)の多結晶試料(34g)の非弾性中性子散乱測定を行った。その結果によると、LaFePOにおいて
-M点間のネスティングによる磁気揺らぎは明瞭には観測されなかった。これはLaFeAsO
F
(7K)と同様な特徴である。高い(=29K)を持つx=8.2%で磁気揺らぎが観測されていることを鑑みると、-M点間のネスティングに由来する磁気揺らぎと高いとの強い相関が示唆される。今回、われわれはさらに以下の低温、低エネルギーにおける磁気励起・共鳴モードを観測するため、HFIR(オークリッジ国立研究所)のCTAX(3軸分光器)とILLのIN5(チョッパー分光器)を用いてLaFePOの非弾性中性子散乱測定を行ったのでその結果について報告する。